随着美国近年来不断加大对中国的高科技封锁，光刻机这个原本比较小众的、应用于芯片制造的半导体设备也日益被大众所熟知。这是因为，中国目前还造不出7纳米及以下高端芯片的核心原因之一，就在于无法从荷兰公司阿斯麦（ASML）进口制造高端芯片的EUV（极紫外）光刻机，只能靠自主研发，因此，国产光刻机的研发进展有任何风吹草动都容易引发高度关注。
10月15日至17日，湾区半导体产业生态博览会（下称“湾芯展”）在深圳举行。本届湾芯展，最受关注的公司就是深圳市新凯来技术有限公司（下称“新凯来”）。
新凯来成立于2021年，由深圳市国资委全资控股。这家年轻的初创公司之所以格外受关注，主要因为，一直有市场传言称新凯来在研发用于制造7纳米及以下高端芯片的光刻机。
新凯来不仅没有展出光刻机相关信息，事实上，截至本文发稿，新凯来从未在官网、新闻发布会、科技展会等各种公开渠道上明确承认过有该项业务。
国内公开承认肩负光刻机研制的公司是上海微电子装备(集团)股份有限公司(下称“上海微电子”)，其用于制造90纳米芯片的干式DUV（深紫外）光刻机已经实现量产。据证券时报报道，上海微电子28纳米浸没式DUV光刻机也进入产品验证阶段，但EUV（极紫外）光刻机仍处于预研阶段（2025年度中国国际工业博览会，上海微电子首次公开EUV光刻机参数图），需突破光源、光学系统等核心技术。
表：光刻机制造关键核心领域国产化现状 来源：华金证券
虽然不涉及光刻机，新凯来正向半导体设备多项“卡脖子”技术发起挑战。本届湾芯展上，新凯来展示了刻蚀、薄膜沉积、量检测等6大类产品，子公司启云方（武汉启云方科技有限公司）和万里眼（深圳万里眼技术有限公司）分别发布了EDA设计软件和超高速示波器。
新凯来每大产品系列均以中国名山命名，暗含树立中国半导体设备高峰之意。
1．外延沉积（EPI）设备（峨眉山系列）
EPI设备的作用是，通过化学气相沉积（CVD）技术，在晶圆表面生长一层原子级精密的单晶半导体材料（如硅、锗硅、碳化硅等），直接决定芯片的性能与可靠性。
EPI设备是半导体制造中最核心的“卡脖子”工程之一，其技术壁垒和市场垄断程度可与光刻机相提并论。全球前道EPI设备市场长期被美国应用材料公司（AMAT）和日本东京电子（TEL）垄断，合计占据超过90%的份额。
国内EPI设备研发起步较晚，目前8英寸EPI设备性能接近国际水平，主要代表厂商是北方华创，但12英寸EPI设备仍需依赖进口。
根据新凯来公布的情况，新凯来EPI设备在8英寸硅基外延工艺中，膜厚均匀性达到±0.5%，与应用材料同类设备处于同一技术水平。
2．原子层沉积（ALD）设备（阿里山系列）
ALD设备好比一个纳米级的粉刷匠，专门为芯片制造打造原子级超薄、超均匀的薄膜，属于前道工艺的“薄膜沉积”核心环节，是先进制程（7纳米及以下）实现精密结构的关键设备。
目前全球ALD设备市场由荷兰先晶半导体（ASM）和日本东京电子主导，两者合计市场份额超过60%。
国内ALD设备研发始于2015年后，目前成熟制程（28纳米及以上）设备已实现量产突破，但先进制程设备依赖进口，主要代表厂商包括新凯来、北方华创(002371.SZ)和拓荆科技（688072.SH）。
新凯来薄膜沉积设备“阿里山”系列有三款产品。其中，阿里山1号是12英寸高保形性介质薄膜原子层沉积设备，搭配五边形平台和Twin腔领先架构，覆盖先进逻辑/存储前中后段介质薄膜应用场景，满足图形化，超薄薄膜，超高深宽比gap fill需求，支持向未来先进节点演进。阿里山2号是12英寸介质刻蚀阻挡层薄膜沉积设备，3号则是12英寸高深宽比金属栅极原子层沉积设备，均支持向先进节点演进。
3. 物理气相沉积（PVD）设备（普陀山系列）
PVD设备的作用是，通过蒸发、溅射等物理过程将金属或介质材料沉积到晶圆表面，形成导电互连层、栅电极等关键结构，其薄膜的电阻率、均匀性和附着力直接决定芯片的电学性能与可靠性。
PVD设备是半导体薄膜沉积领域的核心装备，技术壁垒集中于高功率溅射源设计与大面积均匀沉积控制。全球市场长期被美国应用材料垄断，其市占率高达85%，尤其在12英寸先进制程的铜互连沉积领域几乎处于独占地位。
国内PVD设备研发起步较晚，8英寸成熟制程设备已实现批量供货，但12英寸先进制程的铜互连PVD设备仍主要依赖进口。
国内涉足PVD设备的厂商包括北方华创、拓荆科技和新凯来。其中，北方华创是国内PVD设备的龙头企业；拓荆科技主要专注于CVD（化学气相沉积）和ALD（原子层沉积），但其在PVD领域也有布局；公开信息显示，新凯来推出了普陀山1号至3号三款PVD设备，分别针对金属平面膜、中道接触层及后道互连。例如，普陀山3号采用多重电磁调控与高离化自电离等离子体技术，实现高质量金属填孔，其平台架构灵活应对多元应用场景，一代设计支持多代制程。
4. 刻蚀设备（武夷山系列）
刻蚀设备利用等离子体或化学试剂在晶圆表面进行选择性腐蚀，将光刻定义的图形精准转移到薄膜或衬底上，是半导体制造中“图形化”的核心工具。简言之，刻蚀设备就像一把超级精细的“雕花刀”，在晶圆上刻出纳米级的电路图案。
刻蚀设备是半导体设备中市场规模第二大的品类，技术壁垒体现在高深宽比刻蚀与原子层刻蚀（ALE）技术上。全球市场长期被美国泛林半导体（Lam Research）、应用材料（AMAT）和日本东京电子（TEL）垄断，三者合计占据超90%的份额。
国内刻蚀设备研发进展较快，成熟制程（28纳米及以上）的介质刻蚀、金属刻蚀设备已实现国产化，主要由中微公司、北方华创供应；在7纳米及以下先进制程领域，中微公司取得关键突破，公开表示其生产的高深宽比刻蚀设备已成功应用于国内外领先的芯片制造商的5纳米及更先进的芯片生产线中。
新凯来刻蚀产品ETCH（武夷山）系列，包括武夷山1号、3号、5号共3款设备。其中武夷山1号MAS为电容耦合等离子体(CCP) 干法刻蚀设备，实现了射频全链路自主可控，多频三级同步脉冲满足三维复杂形貌调控需求；武夷山5号为自由基干法刻蚀设备，采取创新匀气方案设计，大幅提升刻蚀选择比。
5. 薄膜沉积CVD设备（长白山系列）
薄膜沉积设备通过CVD或PVD等工艺，在晶圆表面生长或覆盖特定材料的薄膜层，用于构建芯片的导电层、绝缘层或保护层。简言之，薄膜沉积设备就像一台“纳米级喷涂机”，为晶圆均匀覆盖功能各异的薄膜材料，为后续电路图形化奠定基础。
薄膜沉积设备是半导体设备中市场规模最大的品类之一，技术壁垒集中于薄膜均匀性、缺陷控制和先进材料适配能力。全球市场长期被美国应用材料、泛林半导体和日本东京电子主导，三者合计占据超过80%的份额。
国内CVD设备研发近年来进展显著，在28纳米及以上成熟制程的介质薄膜、多晶硅沉积领域已实现国产化，主要由北方华创、拓荆科技供应；在7纳米及以下先进制程领域的CVD设备仍然受制于人。
新凯来CVD产品包括长白山1号和长白山3号。根据新凯来的公开信息，长白山1号具备单腔4-Station领先架构，长白山3号全面覆盖逻相和行储金属化学气相沉积应用场景，具备创新架构和领先性能，多种工艺高度集成，支持向未来先进节点演进。
6. 量检测设备（岳麓山系列）
量检测设备的作用是，通过光学、X射线等技术对晶圆制造全流程进行缺陷检测与参数测量，包括薄膜厚度、线宽、缺陷尺寸等，是保障芯片良率的“眼睛”，其检测精度与效率直接决定量产产能与成本。
量检测设备是半导体设备中国产化率最低的品类之一，技术壁垒集中于纳米级缺陷识别与高速信号处理。全球市场长期被美国科磊（KLA）、应用材料和日本东京电子垄断，三者合计占据超90%的份额。西证券研报指出，国内半导体检测和量测设备企业起步较晚，主要厂商的国内市场份额由2019年的0.61%提升至2023年的4.34%。
新凯来量测检测设备包括岳麓山系列、丹霞山系列、蓬莱山系列、莫干山系列、天门山系列、沂蒙山系列和赤壁山系列和功率检测的RATE系列产品。
据界面新闻报道，新凯来量测检测设备实际分两类，一类是技术难度较高的光学量检测产品，包括明场缺陷检测BFI、暗场缺陷检测DFI、表面缺陷检测PC等。公司方面表示，这类产品基本完成客户侧验证，2025年进入量产状态。
另一类是国内此前空白但产线必需的PX（物理和X射线）及功率检测产品，包括原子力显微镜量测AFM、X射线类量测XPS、CP(Chip Probing)测试机等。其中，PX量测产品已进入量产交付，功率检测产品也进入了规模应用。
据《南方日报》报道，新凯来量检测装备产品线总裁郦舟剑接受采访时曾表示，新凯来量检测装备在核心零部件上均实现了国产化，每一个突破在2021年之前曾被视作难以逾越的高山。
综合来看，新凯来的主要产品线集中在半导体制造中最复杂、技术壁垒最高的前道（Front-end）工艺。
本届湾芯展上，新凯来子公司万里眼自主研发的新一代超高速实时示波器也很受业界关注。
据公开消息，万里眼首席执行官刘桑表示该公司之所以将目光瞄向示波器领域，一是因为从瓦森纳协定到美国的出口管制，西方国家禁止向中国出口60GHz以上的实时示波器；二是美国几年时间里将1500多家国内大学科研机构以及企业纳入实体管制清单，导致其无法使用常规使用美国仪器，使得高端的电子测量仪器成为中国电子产业向前发展的关键卡点。
万里眼公司官方信息称，该公司新一代超高速实时示波器带宽突破90GHz，位列全球第二，将国产示波器性能提升到原有水平的500%，实现多带产品的跨越，可应用于半导体、6G通信、光通信、智能驾驶等领域。
刘桑还透露，其系列产品可做到稳定批量向客户提供服务，华为、上海交大等多家机构是其客户。
综上所述，新凯来及其子公司通过聚焦于PVD、刻蚀、薄膜沉积等前道核心工艺设备，以及高端量检测仪器，正力求在多个层面系统性地解决半导体设备产业的“卡脖子”问题。